Компания Toshiba Memory Europe GmbH объявила о разработке опытного образца 96-слойной флеш-памяти BiCS FLASH™ – устройства хранения данных на основе собственной технологии 3D флеш-памяти с четырехуровневыми ячейками (QLC), которая позволяет увеличить объем памяти на одном кристалле до ранее недостижимых значений.
Технология QLC предусматривает увеличение количества бит данных в ячейке памяти с трех до четырех, существенно расширяя емкость. Новое устройство обладает максимальным в отрасли объемом памяти – 1,33 ТБ на одном кристалле и разработано совместно с компанией Western Digital Corporation.
Оно также позволяет достичь непревзойденной емкости 2,66 ТБ в одном корпусе за счет использования многоуровневой архитектуры из 16 кристаллов. Огромные объемы данных, создаваемые мобильными терминалами и подобными устройствами, продолжают расти благодаря распространению социальных сетей и развитию Интернета вещей (IoT). При этом ожидается резкий рост потребности анализировать и использовать эти данные в режиме реального времени. Для этого потребуются еще более быстрые жесткие диски и хранилища большей емкости. Устройства на основе технологии QLC и 96-слойного технологического процесса помогут решить эту задачу.
Компания Toshiba Memory начнет поставки ознакомительных образцов производителям SSD-дисков и контроллеров SSD-дисков для оценки в начале сентября, а начало серийного производства ожидается в 2019 году.
Учитывая потребности будущего, компания Toshiba Memory продолжит работу над увеличением емкости и повышением производительности памяти и разработку 3D флеш-памяти, отвечающей потребностям различных рынков, включая быстро расширяющийся рынок устройств хранения для центров обработки данных.