АО «НИИЭТ» завершило испытания транзисторов для телевидения

Воронеж, 20 мая 2024 года – Специалисты Научно-исследовательского института электронной техники (входит в Группу «Элемент») успешно завершили испытания LDMOS-транзисторов КП9171А и КП9171БС. Согласно результатам испытаний, изделия обеспечивают требования технического задания и соответствуют лучшим мировым аналогам. При этом, транзистор КП9171БС, являясь первым отечественным несимметричным транзистором, разработанным для применения в схемах Догерти, обеспечивает наилучшее сочетание линейности характеристик, выходной мощности и эффективности.

Разработанные транзисторные кристаллы изготавливаются на фабрике АО «Микрон». Технологи АО «НИИЭТ» и АО «Микрон», работая над усовершенствованием технологического процесса, фактически разработали новую LDMOS-технологию, которая обеспечила высокую удельную выходную мощность и малые значения емкостей.

В настоящее время LDMOS-технология является доминирующей кремниевой технологией изготовления СВЧ-транзисторов, применяемых в таких областях, как сотовая связь, радиолокация, цифровое телевидение. Разработанные в АО «НИИЭТ» транзисторы предназначены для работы в усилителях телевизионных сигналов, кроме того, они могут применяться в системах радиолокации и навигации.

Работа по созданию мощных СВЧ LDMOS-транзисторов с улучшенной энергоэффективностью для передатчиков цифрового эфирного телевещания выполнялась при софинансировании из федерального бюджета в рамках программы субсидирования в соответствии с постановлением Правительства РФ от 24 июля 2021 года № 1252.

Основные параметры КП9171А:
Коэффициент усиления по мощности – не менее 20 дБ, коэффициент полезного действия стока – не менее 45%, коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка – не более -30 дБ при выходной мощности в пике огибающей 140 Вт и напряжении питания 50В на рабочей частоте 860 МГц. При этом транзистор обладает практически двукратным запасом по мощности 250 Вт.

Основные энергетические параметры КП9171БС:
Коэффициент усиления по мощности – не менее 18,6 дБ, коэффициент полезного действия стока – не менее 50%, значение параметра IMDSHLDR – не более -33 дБ при непрерывной выходной мощности 180 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 550 МГц. При этом транзистор обеспечивает до 1кВт пиковой импульсной мощности.

Гендиректор АО «НИИЭТ» Павел Куцько:
«Научно-исследовательский институт электронной техники, являясь ведущим отечественным разработчиком мощных СВЧ-транзисторов, в частности, специализируется на разработке и производстве транзисторов для передатчиков эфирного вещаний. Именно транзисторы АО «НИИЭТ» КТ9155, КТ9152, КТ9174 обеспечили надежность и качество государственной системы аналогового телевизионного эфирного вещания нашей страны в ХХ веке и начале ХХI века. В настоящее время, по прошествии более 30 лет, институт электронной техники реализует проект по разработке первых отечественных транзисторов для цифрового эфирного телевизионного вещания.
СВЧ LDMOS-транзисторы разработки АО «НИИЭТ» не имеют аналогов в нашей стране и способны удовлетворить специфические требования работы в передатчике сигнала стандартов DVB-T/ DVB-T2, при этом обеспечивая высокие значения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия в сочетании с высокой линейностью передаточной характеристики. Потенциальным потребителям уже предоставлены тестовые образцы, а первые серийные поставки изделий запланированы на четвертый квартал этого года, в настоящее время принимаются заявки».

***

О ПАО «Элемент»
ПАО «Элемент» является одним из крупнейших разработчиков и производителей электроники, лидером в области микроэлектроники в России. В состав Группы входят более 30 компаний по производству интегральных микросхем, полупроводниковых приборов, силовой электроники, модулей, корпусов для микросхем, а также радиоэлектронной аппаратуры. Продукция ПАО «Элемент» имеет широкое применение в различных отраслях экономики.

О АО «НИИЭТ»
АО «НИИЭТ» - один из ведущих производителей электронных компонентов в России. Научно-исследовательский институт электронной техники является одной из старейших отечественных школ разработки с большими производственными мощностями и квалифицированными кадрами. Сегодня НИИЭТ – единственное в России предприятие, которое занимается серийным производством и поставками GaN-транзисторов на кремнии. АО «НИИЭТ» выполняет полный комплекс работ по проектированию цифровых и аналоговых микросхем, силовых, ВЧ-, СВЧ-транзисторов и блоков на их базе. Институт располагает современной производственной линией для сборки ИМС, силовых, ВЧ-, СВЧ-транзисторов во всех типах металлокерамических корпусов